南京大学教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者，长江学者特聘教授，万人计划专家，国家重点研发计划项目首席科学家。
于1996年和1999年在南京大学物理系获学士、硕士学位；于2003年在美国康奈尔大学（Cornell University）电子与计算机工程系获博士学位，师从美国工程院院士Lester Eastman教授；在康奈尔大学获得博士学位后，于2004年，受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员；于2006年9月归国任教于南京大学物理系及电子科学与工程学院，现任南京大学特聘教授，兼任南京微结构国家实验室（筹）主任研究员（PI）。
主要从事宽禁带半导体材料和器件研究，取得了多项有国际影响力的成果：制备了世界上电学特性最好的InN单晶薄膜（保持6年世界纪录），首先生长出p型、a面及立方相等新型InN材料，为三十余家国际权威研究机构提供了标准InN及富In氮化物样品；联合改写和修正了多项III族氮化物半导体材料体系的基本参数，包括InN 0.7eV窄禁带宽度的重大发现，藉此将Ⅲ族氮化物半导体的应用领域推广到近红外光学波段，大大拓宽了Ⅲ族氮化物半导体的研究与应用范畴；首先发现InN表面强电荷聚集效应，藉此研制出InN表面化学传感器、InN THz发射源，获《Nature》杂志专文报道；联合提出InGaN全光谱多异质结太阳能电池的概念和结构。
近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究，致力于将半导体基础研究成果推广到器件应用领域：通过发展GaN同质外延生长技术，大幅度提高了GaN半导体的晶体质量，藉此研制出高击穿电压GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光电探测器，多次获得国际主流半导体技术媒体跟踪报道；两次刷新GaN基霍尔传感器最高稳定工作温度的世界纪录；研制出现有暗电流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探测器，并带领南京大学团队在国内首先实现了高灵敏度GaN基紫外探测器的产业化；在国内首先实现SiC紫外单光子探测器；研究和澄清了GaN基功率器件和发光二极管的几个基础器件物理问题，发展了多种新型的器件测试表征方法。
迄今已发表学术论文三百余篇，其中包括SCI论文230余篇；所发表文章获SCI他人引用10000余篇次（截止到2015年12月）；其代表工作被国外同行在综述文章上称为“Major breakthrough (重大突破)”；已获得13项中国发明专利和1项美国发明专利授权；入选科技部创新人才推进计划、教育部新世纪人才计划、江苏省333人才培养计划；曾获江苏省五四青年奖章（2013）、江苏省十大青年科技之星（2014）、教育部技术发明一等奖（2015）、国家技术发明二等奖（2016）。